超高真空ECR-CVD装置
| メーカー | キヤノンアネルバ |
|---|---|
| 型番 | ECR-CVD |
| 年式 | 2002 |
| カテゴリー | 半導体中古装置（前工程）, 成膜装置, CVD装置 |
| ウェハーサイズ | 2inch, 4inch |
| 仕様（日本語） | "基板交換にはロードロック機構を用いる。 トレー表面温度にてMAX400℃(安定度：300℃±3℃ ECRイオン源 ガス導入系：使用ガスN2,O2 成膜室：使用ガスSiH4" |
| 管理番号 | K004-0010 |
売却済
在庫確認・ご質問などお気軽に問い合わせください
掲載していない機器もお探します！